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企业信息

深圳市优尚半导体科技有限公司

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营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

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元器件产品

MOSFET场效应管HN1K02FU

型号/规格:HN1K02FU 品牌/商标:TOSHIBA(东芝) 封装形式:SOT-363 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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MOSFET场效应管HZK11BTR

型号/规格:HZK11BTR 品牌/商标:TOSHIBA(东芝) 封装形式:SOT-363 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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瞬态抑制二极管ESD5Z2.5T1G

型号/规格:ESD5Z2.5T1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOD523 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

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瞬态抑制二极管ESD5Z7.0T1G

型号/规格:ESD5Z7.0T1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOD523 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

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瞬态抑制二极管ESD7381MUT5G

型号/规格:ESD7381MUT5G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:X3DFN2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

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瞬态抑制二极管ESD9D5.0ST5G

型号/规格:ESD9D5.0ST5G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOD923 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

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瞬态抑制二极管ESD9X7.0ST5G

型号/规格:ESD9X7.0ST5G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOD923 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

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瞬态二极管ESDR0524PMUTAG

型号/规格:ESDR0524PMUTAG 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:UDFN10 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

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MOSFET场效应管FDS6689S-NL

型号/规格:FDS6689S-NL 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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MOSFET场效应管FDV302P-NL

型号/规格:FDV302P-NL 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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MOSFET场效应管IRLML6302TRPBF

型号/规格:IRLML6302TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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MOSFET场效应管IRLML6244TRPBF

型号/规格:IRLML6244TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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MOSFET场效应管IRLML5203GTRPBF

型号/规格:IRLML5203GTRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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MOSFET场效应管IRLML2502TRPBF

型号/规格:IRLML2502TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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MOSFET场效应管IRLML2402TRPBF

型号/规格:IRLML2402TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:

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