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深圳市优尚半导体科技有限公司
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MOSFET金属氧化物场效应管SQ2319ES-T1-GE3
型号/规格:SQ2319ES-T1-GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管S595T-GS08
型号/规格:S595T-GS08 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOT-143 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管SI1903DL-T1-E3
型号/规格:SI1903DL-T1-E3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SC70-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管SI1912EDH-T1-E3
型号/规格:SI1912EDH-T1-E3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SC70-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管SI1913EDH-T1-E3
型号/规格:SI1913EDH-T1-E3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOT-363 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管SI2302DS-T1-GE3
型号/规格:SI2302DS-T1-GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管PMBF170
型号/规格:PMBF170 品牌/商标:NEXPERIA/安世 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管RHP030N03T100
型号/规格:RHP030N03T100 品牌/商标:ROHM(罗姆) 封装形式:SOT-89 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR4170NT1G
型号/规格:NTR4170NT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR4501NT1G
型号/规格:NTR4501NT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR4101PT1G
型号/规格:NTR4101PT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTJD4401NT1G
型号/规格:NTJD4401NT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-363 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR4003NT1G
型号/规格:NTR4003NT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR0202PLT1G
型号/规格:NTR0202PLT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR3A052PZT1G
型号/规格:NTR3A052PZT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR4502PT1G
型号/规格:NTR4502PT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTR5105PT1G
型号/规格:NTR5105PT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDC633N
型号/规格:FDC633N 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDG6301N
型号/规格:FDG6301N 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-363 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NTGS4111PT1G
型号/规格:NTGS4111PT1G 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-163 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管S593TR-GS08
型号/规格:S593TR-GS08 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOT-143 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDN302P
型号/规格:FDN302P 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管BSS123-7-F
型号/规格:BSS123-7-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管DMG6602SVT-7
型号/规格:DMG6602SVT-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-163 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDC604P
型号/规格:FDC604P 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-163 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDV301N
型号/规格:FDV301N 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管DMN2020LSN-7
型号/规格:DMN2020LSN-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDN338P
型号/规格:FDN338P 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管BSH111
型号/规格:BSH111 品牌/商标:NEXPERIA/安世 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管BSS84
型号/规格:BSS84 品牌/商标:NXP(恩智浦) 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管DMP10H4D2S-7
型号/规格:DMP10H4D2S-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDC634P
型号/规格:FDC634P 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管FDC6330L
型号/规格:FDC6330L 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-163 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NDC7002N
型号/规格:NDC7002N 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-163 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NDS0605
型号/规格:NDS0605 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-163 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NDS0610
型号/规格:NDS0610 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NDS331N
型号/规格:NDS331N 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征:
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MOSFET金属氧化物场效应管NDS351AN
型号/规格:NDS351AN 品牌/商标:ONSEMI/安森美 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:编带 功率特征: